裳華房-社名ロゴ 
裳華房のtwitterをフォローする



『半導体の電子物性工学』 カバー
 


購入案内タイトル

ネット書店の購入ページへ
Amazon
楽天ブックス
オムニ7
honto
Knowledge Worker
紀伊國屋書店
ヨドバシ・ドット・コム
TSUTAYA
ローチケHMV
BOOKFAN
e-hon
Honya Club

店頭在庫を確認する
丸善&ジュンク堂書店
紀伊國屋書店
三省堂書店

取り扱い書店一覧


電子メール・アイコン

新教科書シリーズ 
半導体の電子物性工学
Physics and Electronic Properties of Semiconductor Devices

在庫マーク

慶應義塾大学名誉教授 工博 太田英二・
慶應義塾大学名誉教授 工博 坂田 亮 共著

A5判/392頁/定価5940円(本体5500円+税8%)/2005年8月発行
ISBN 978-4-7853-6113-6 (旧ISBN 4-7853-6113-1)  C3055

 本書は,半導体と固体物性の基本的な考え方,半導体素子における物理を理解するための教科書として,固体物理の基礎から半導体素子の動作に至るまでを懇切丁寧に解説したものである.数式の展開も逐次追って書かれ,また,理解を深めるための例題やノート,付録があり,この分野の初学者が独力で学ぶのに配慮された構成となっている.
 読者対象:大学3年生くらい〜


目次 (章タイトル)  → 詳細目次

1.半導体物性の基礎
2.真性半導体と不純物半導体
3.半導体に流れる電流
4.過剰キャリアと再結合
5.半導体の結合

詳細目次  

序文

1.半導体物性の基礎
 1.1 固体の中の電子状態
  1.1.1 自由電子 −量子力学入門を兼ねて−
  1.1.2 有限の大きさの箱の中にある1個の電子の状態
 1.2 電子の統計分布
  1.2.1 フェルミエネルギー
  1.2.2 自由電子の状態密度
  1.2.3 フェルミ‐ディラックの分布関数
 1.3 周期的ポテンシャル
  1.3.1 原子の中の電子
  1.3.2 物質の周期性と結晶格子
  1.3.3 電子の感じるポテンシャル
 1.4 エネルギー帯構造
  1.4.1 ポテンシャルの周期性と電子状態
  1.4.2 周期的ポテンシャルの影響
  1.4.3 群速度と有効質量
  1.4.4 許容バンドの中の電子状態
  1.4.5 周期的ポテンシャルがある場合の状態密度
 1.5 電子と正孔
  1.5.1 電界中のバンド電子
  1.5.2 運動する電荷による電流 −導体と絶縁体−
  1.5.3 導体と絶縁体 −2次元の場合−

2.真性半導体と不純物半導体
 2.1 半導体の特徴とその分類
 2.2 元素半導体と化合物半導体
  2.2.1 元素半導体と半金属
  2.2.2 化合物半導体
 2.3 電流キャリアの数密度
  2.3.1 真性半導体
  2.3.2 有効状態密度
  2.3.3 真性半導体のフェルミエネルギー
  2.3.4 pn 積と真性半導体のキャリア数密度
 2.4 不純物半導体
  2.4.1 半導体中の不純物
  2.4.2 不純物にあける電子の統計
  2.4.3 電気的中性条件と補償
  2.4.4 キャリア数密度と温度依存性

3.半導体に流れる電流
 3.1 キャリアの輸送と散乱
  3.1.1 電界中のキャリアの輸送
  3.1.2 散乱断面積
  3.1.3 格子振動による散乱
  3.1.4 イオン化不純物散乱
  3.1.5 中性不純物散乱
  3.1.6 全散乱緩和時間と合成移動度
 3.2 キャリアの輸送方程式
  3.2.1 分布関数と輸送方程式
  3.2.2 電気伝導率(電界のある場合)
  3.2.3 空間的な不均一の影響
  3.2.4 キャリアの拡散(濃度勾配のある場合)
  3.2.5 電流磁気効果(磁気のある場合)

4.過剰キャリアと再結合
 4.1 過剰キャリアとその影響
  4.1.1 過剰キャリアと生成・再結合
  4.1.2 電気伝導率への影響
  4.1.3 過剰キャリアによる空間電荷の遮蔽
 4.2 キャリアの再結合
  4.2.1 直接再結合
  4.2.2 直接再結合による少数キャリア寿命
  4.2.3 間接再結合
  4.2.4 禁制帯中のエネルギー準位における電子・正孔の放出と捕獲
  4.2.5 間接再結合による少数キャリア寿命
 4.3 過剰キャリアの統計
 4.4 キャリアの連続の式
 4.5 一様な外部電界と拡散と再結合

5.半導体の結合
 5.1 半導体の表面
 5.2 金属表面
  5.2.1 仕事関数
  5.2.2 ショットキー効果
  5.2.3 金属と金属の接触
 5.3 金属‐半導体接合
  5.3.1 ショットキー接合とオーム性接合
  5.3.2 ショットキー接合の電気容量
  5.3.3 界面(表面)準位の影響
  5.3.4 金属‐半導体接触における界面準位の影響
  5.3.5 ショットキー障壁を流れる電流(電流‐電圧特性)
 5.4 半導体‐半導体の接合
  5.4.1 半導体‐半導体接合の作製法
  5.4.2 p-n接合のエネルギー帯と接合容量
  5.4.3 p-n接合の直流電流
  5.4.4 p-n接合の光起電力効果(太陽電池)
  5.4.5 ヘテロ接合
  5.4.6 p-n接合の交流電流
 5.5 バイポーラトランジスタとp-n接合デバイス
  5.5.1 バイポーラトランジスタの動作
  5.5.2 小信号電流増幅率
  5.5.3 エミッタ接地の電流増幅率
  5.5.4 バイポーラトランジスタの高周波特性
  5.5.5 p-n-p-n素子(サイリスタ)
  5.5.6 接合型電界効果トランジスタ(J-FET)
 5.6 金属‐絶縁体‐半導体(MIS,MOS)構造とデバイス
  5.6.1 金属‐絶縁体‐半導体(MIS,MOS)のバンド構造
  5.6.2 MOS構造の接合容量
  5.6.3 MOS型電界効果トランジスタ(MOS-FET)
  5.6.4 MOS構造の電子素子

付録
 付録A 
  A.1 電子の分布構造
  A.2 未定係数αとβを決める
 付録B
  B.1 周期的ポテンシャル −強束縛の近似−
  B.2 原子が2個の場合
  B.3 原子が3個の場合
  B.4 多数の原子がある場合

参考文献
索引

著作者紹介

太田 英二
おおた えいじ 
1949年 兵庫県に生まれる.慶応義塾大学工学部卒業,慶応義塾大学大学院工学研究科博士課程所定単位取得.慶応義塾大学助手・専任講師・教授などを歴任.

坂田 亮
さかた まこと 
1958年 慶応義塾大学旧制大学院(文部省特別研究生)修了.慶応義塾大学教授,杏林大学教授などを歴任.主な著書に『物性科学』(培風館)などがある.

(情報は初版刊行時のものから一部修正しています)


この著作者の本
『熱電変換』
熱電変換


『走査プローブ顕微鏡と局所分光』
走査プローブ顕微鏡
と局所分光


関連書籍
『半導体の科学とその応用』
半導体の科学とその応用


『電気伝導の基礎と材料[POD版]』
電気伝導の基礎と材料
[POD版]


『シリサイド系半導体の科学と技術』
シリサイド系半導体
の科学と技術



教科書をお探しの先生方へ


物理学
物理学:物性物理


分野別
シリーズ一覧
書名五十音別
電子書籍
オンデマンド出版書籍


総合図書目録
メールマガジン
東京開業120周年



         

自然科学書出版 裳華房 SHOKABO Co., Ltd.