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『半導体の理論と応用(上)』 カバー
 


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物理学選書 6 
半導体の理論と応用(上) −その半世紀の歩み−

在庫マーク

東京大学名誉教授 理博 植村泰忠・
東海大学名誉教授 理博 菊池 誠 共著

A5判/498頁/定価3300円(本体3000円+税10%)/1960年5月発行
ISBN 978-4-7853-2306-6 (旧ISBN 4-7853-2306-X)  C3042

 半導体を研究する人は、現象の物理的・化学的内容を追求するに止まらず、進んで応用技術面に積極的な関心を払うことが望ましい。
 本書は、半導体研究あるいは機器生産に従事する研究者や技術者に役立つように、一方、この分野に進まれる新進学徒の入門書としての役割を果たすことを念願して執筆されたものである。
 上巻では、半導体研究の基礎と、その半世紀の歩みを詳述した。

※『半導体の理論と応用(下)−最近の半導体固体物理学−』は企画中止となりました。


目次 (章タイトル)  → 詳細目次

I.半導体研究のはじまり
II.半導体のWilson模型
III.金属整流器の発展
IV.Si,Geダイオード及びトランジスタの発展

詳細目次

I.半導体研究のはじまり
 §1 半導体の主な特長
 §2 半導体の特長はどのように利用されたか

II.半導体のWilson模型
 §1 第2章ではどのような問題を扱うか
 §2 古典電子論と半導体
 §3 結晶内電子の状態
 §4 半導体のWilson模型
 §5 Boltzmannの方程式と半導体の伝導現象

III.金属整流器の発展
 §1 半導体の整流現象
 §2 金属整流器が歩んだ道
 §3 金属整流器の構造と特性
 §4 整流作用はどこで起こるか
 §5 金属整流器の整流理論の展開
 §6 金属整流器研究の戦後の発展
 §7 金属整流器整流理論の全く違う立場

IV.Si,Geダイオード及びトランジスタの発展
 §1 はじめに
 §2 1942年前後までの研究
 §3 戦中戦後の研究体勢
 §4 point contact diodeの整流現象の研究
 §5 point contact diodeにからむ本質的問題は他にあった
 §6 Surface statesの導入からトランジスタの誕生へ
 §7 トランジスタの働きを担うもの
 §8 コレクタでの電流増幅
 §9 接合トランジスタの登場
 §10 トランジスタ技術とトランジスタとの発展
 §11 日本におけるトランジスタ技術と工学

索引

著作者紹介

植村 泰忠
うえむら やすただ 
1921年 東京都に生まれる。東京帝国大学理学部卒業。東芝マツダ研究所勤務、東京大学助教授・教授・理学部長、東京理科大学教授、武蔵学園長などを歴任。

菊池 誠
きくち まこと 
1925年 東京都に生まれる。旧制第一高等学校卒業、東京大学理学部卒業。通産省電気試験所勤務、ソニー株式会社中央研究所所長、東海大学教授などを歴任。主な著書に『トランジスタ』(六月社)、『図解 半導体用語辞典』(共編、日刊工業新聞社)、『エレクトロニクスからの発想』(講談社)、『日本の半導体四〇年』(中央公論社)などがある。

(情報は初版刊行時のものから一部修正しています)


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